История нашего предприятия

logo rostec blacklogo ruselectronics color

Так все начиналось…

history1

АО «НИИЭМП» - многопрофильное предприятие, специализирующееся на разработке и производстве электронных компонентов.

В начале 60-х годов разработками и изготовлением электронных компонентов из-за отсутствия специализированных предприятий вынуждены были заниматься самостоятельно многие аппаратостроительные заводы различных министерств и ведомств страны.

Несогласованность в проведении разработок, отсутствие унификации, специальных руководящих материалов и другой нормативно-технической документации породили большую номенклатуру резисторов, различных по конструктивному исполнению и значительно отличающихся по условиям эксплуатации и техническим характеристикам.

Возникла необходимость создания специализированных предприятий по разработке и массовому изготовлению радиодеталей.

3 декабря 1958 г. Совет Министров СССР принял Постановление № 1315-633 «О мерах по развитию специализированного производства и научно-исследовательской базы по радиодеталям».

В соответствии с этим Постановлением Госкомитет СССР по радиоэлектронике издал приказ № 1 от 3 января 1959 г. о создании Государственного Союзного научно-исследовательского института № 481, а 9 января 1959 г. Заместитель Председателя Госкомитета СССР по радиоэлектронике А. Захаров утвердил Положение № 107 «О Государственном Союзном научно-исследовательском институте № 481», впоследствии получившем название «Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов» (НИИЭМП).

Первым главным инженером был назначен Ермаков Евгений Иванович. На него же временно были возложены обязанности директора института, а в октябре 1959 г. директором института назначается Железнов Михаил Тимофеевич.

Решение поставленных перед НИИЭМП задач было невозможно без развития экспериментально-производственной базы по отработке технологии изготовления разрабатываемых институтом изделий. В соответствии с приказом Госкомитета СССР по радиоэлектронике № 119 от 17 июля 1962 г. с 1 октября 1962 г. при НИИЭМП был организован опытный завод, директором которого был назначен Сафронов Павел Васильевич.

Опытный завод стал мощной экспериментально-производственной базой института по отработке технологий производства вновь разрабатываемых изделий и наладил их мелкосерийное производство.

Большой вклад в развитие науки, расширение производственных площадей, инфраструктуры института и опытного завода внесли директора НИИЭМП Иванов А.Н., Буц В.П., Недорезов В.Г. и директора опытного завода Мукин В.М., Тамбовцев Н.С и Сипатов Б.С.

history2

В период с 1960 по 1970гг. в НИИЭМП были созданы базовые конструкционные ряды постоянных и переменных резисторов, которые закрыли номенклатурный дефицит в резисторах для военной техники, бытовой электронной аппаратуры и промышленной электроники.

К 70-му году были разработаны ряды постоянных проволочных малогабаритных резисторов типов С5-5, С5-14, С5-16, С5-17 с мощностью рассеивания от 0,125 до 10 Вт, позволившие расширить диапазон номинальных сопротивлений от 0,1 Ом до 180 кОм и в 100 раз снизить допуск на номинальное сопротивление (с ± 5 до ± 0,05%).

about-vacuum-devices

В настоящее время НИИЭМП является единственным предприятием в России и странах CHГ, которое занимается разработкой и производством вакуумных конденсаторов и высокочастотных вакуумных коммутирующих устройств.

about-rezist-compВ период с 1970 по 1980гг. перед институтом были поставлены задачи по дальнейшему расширению номенклатуры выпускаемых изделий, улучшению точностных  характеристик резисторов, повышению рабочего напряжения, снижению массогабаритных характеристик  и доведению их до уровня зарубежных образцов.

Разработанные керметные резисторные композиции и их использование для производства керметных резисторов и резисторных компонентов позволили на три порядка расширить верхнюю границу номинального сопротивления, увеличить удельную электрическую мощность, снизить массогабаритные характеристики и др.

К концу семидесятых годов были разработаны базовые технологические процессы изготовления металлофольговых резисторов; специальные прецизионные сплавы и тонкие микронные ленты на их основе; решены вопросы по контролю параметров металлофольговых резисторов; создана технологическая линейка их изготовления.

В период с 1980 по 1990 гг.в результате проведения комплекса работ в НИИЭМП были разработаны и внедрены в производство:

- серия конструкционных рядов подстроечных резисторов типов СПЗ-37, СПЗ-39, СПЗ-44, РП1-48, РП1-53, РП1-85, РП1-75, РП1-82, РП1-60 и др.;

- серия толстопленочных наборов резисторов типов НР1-4, НР1-7, НР1-19, НР1-20, НР1-29, НР1-30 и др.;

- серия толстопленочных гибридных схем и регуляторов напряжения на их основе.

Освоение толстопленочной технологии позволило решить целый ряд проблем отраслевого значения и в кратчайший срок расширить область применения керметных резисторов и наборов резисторов. 

Тонкопленочные наборы резисторов и ГИС ЦАП и АЦП ВТ на их основе

В период с 1970 по 1980гг. в НИИЭМП началось формирование нового научно-технического направления – тонкопленочных резисторных схем - базировавшегося на технологии получения тонких металлических и диэлектрических пленок методом испарения в вакууме. Основополагающей работой в этом направлении следует считать НИР «Спектр» (научный руководитель В.М. Терехов), подтвердившую теоретические предпосылки возможности создания высокоточных (прецизионных) тонкопленочных резисторных схем с высокими эксплутационными характеристиками. На базе результатов указанной НИР были проведены первые опытно-конструкторские работы по созданию изделий спецтехники (ОКР «Ладога» - главный конструктор В.В. Дубровский и ОКР «Нева» - главный конструктор А. В. Мартыненко). 

В результате выполнения опытно-конструкторских работ были созданы:

history3

• серия тонкопленочных микросхем типов 301НР1-2, 301НРЗ-6, 301НР7- 12, 313НР210-420, К311НР101-331, К312НР1-6 и др.;

• прецизионные типов НР1-17, НР1-27, НР1-33;

• бескорпусные типа НР1-31;

• корпусные типов НР1 -43, НР1 -46;

• делители напряжения типов НР1 -16, НР1 -22, НР1 -28;

• выходные делители напряжения типов НР1-45, ЮУМ3.418.013ТУ, 308НР6;

• делители напряжения R-2R типов НР1-48,НР1-53,313НР210...420.

Истоки направления ГИС относятся к началу 70-х годов, когда была поставлена первая  научно-исследовательская работа "Определение технических требований и пути реализации кодоуправляемого потенциометра". При постановке данной работы пришлось прибегнуть  к хитрости. В те времена в МЭП СССР была четкая специализация, и разработка ГИС не вписывалась в закрепленные за институтом направления, поэтому название гибридной микросхемы цифро-аналогового преобразователя (ГИС ЦАП), которое не приняли руководители бывшего министерства, было заменено на кодоуправляемый потенциометр. Необходимо отметить, что название ОКР по сегодняшним меркам, нормальное. В настоящее время за рубежом существуют электронные потенциометры (это то же, что и кодоуправляемые) – в нашей же стране основателем данного направления является НИИЭМП. Термин "цифро-аналоговый преобразователь" появился  в НИИЭМП в названии ОКР "Ангара-3" (гл. конструктор Рожко М.Я.).

В 1978 г. научным руководителем НИР по созданию ЦАП становится Рожко М.Я. (НИР "Ангара-1"), который по сути дела является прародителем всех современных работ; заложенные им технологические подходы и необходимая комплектация используются в современных разработках ГИС ЦАП и АЦП.

В период с 1980 по 1990гг. проводятся работы по дальнейшему совершенствованию параметров тонкоплёночных наборов резисторов; по развитию направления гибридных интегральных схем; по внедрению вычислительной техники в процессы разработки новых изделий и микропроцессорной техники в нестандартизованное контрольно-измерительное оборудование.

В 1981 году происходит смена руководства научно-производственного сектора (НПС) по разработке тонкопленочных наборов резисторов и ГИС ЦАП АЦП на их основе. Начальником НПС становится бывший начальник лаборатории Мартыненко Арсен Владимирович.

В середине 80-х годов в НПС-5 была организована лаборатория САПР во главе с начальником лаборатории Плотниковым В.В. Эта лаборатория при большом участии Рожко М.Я. первая в институте внедрила АРМ "Кулон" для проектирования топологических структур, а затем АРМ "Оргтекст" для оформления текстовой документации. Эта же лаборатория в 80-е годы внедрила первые отечественные ПЭВМ типа ДВК для оформления текстовой документации.

Разработка и производство ГИС ЦАП-АЦП стали возможными благодаря разработке и изготовлению собственного автоматизированного контрольно-измерительного оборудования, не имеющего аналогов ни в бывшем СССР, ни в РФ. В его создание особый вклад внесли начальник лаборатории КИО Чернышев Н.И.- главный конструктор установки измерения статических параметров (ОКР "Иргиз-1" и ОКР "Иргиз-10"); ведущий инженер, будущий д. т. н. Власов Г.С.; ведущий инженер Шестернин А.Н.- главный конструктор установки измерения динамических параметров ЦАП; ведущий инженер Алексеенко В.А. Во всех типах КИО были использованы ПЭВМ типа ДВК.

Большой вклад в разработку КИО внесли ведущий научный сотрудник Скорляков А.А., создавший БМК для изделия "Протон", ведущие инженеры Барышев С.Н. и Михайлов А.С., принимавшие участие в создании КИО для того же изделия.

history4Период с 2000г по н.в.  В 2002 году, после тяжелейших пережитых институтом 10 лет, была завершена ОКР «Камышит», выполнение которой находилось под угрозой срыва из-за недофинансирования и различного рода "секвестров". В результате выполнения ОКР была создана и освоена в производстве первая отечественная микросхема аналого-цифрового преобразователя напряжений вращающихся трансформаторов (АЦП ВТ) – 427ПВ2Т. ОКР "Камышит" была завершена в сжатые сроки под руководством главного конструктора Каменского Е.А. Однако это первое и новое изделие получилось не совсем технологичным, и уже в 2003 году началась ОКР "Камышит-10" (главный конструктор Каменский Е.А.) по разработке микросборки АЦП ВТ с габаритами в два раза меньше прежнего изделия. Планировалось также усовершенствовать номенклатуру применяемой компонентной базы, повысить технологичность и технические характеристики.

При разработке ЦАП был использован металлостекляный корпус типа «Гудок», который изготавливался на ПО «Миконд» г. Ташкент и поставки которого после распада СССР были прекращены. Для решения вопроса по обеспечению ЦАП корпусами на Донском заводе радиодеталей, г. Донской Тульской области, был разработан и освоен в производстве корпус «Доверие-3». На его базе был создан металлокерамический 42-выводной корпус «Доверие-4», который был применен для модернизации цифро-аналоговых преобразователей 427ПА2 и 427ПА4 в рамках ОКР «Ограничитель». В результате её выполнения были созданы новые ГИС ЦАП – К427ПА2Т и К427ПА4Т.

Спецмашиностроение

Приказом Министра электронной промышленности СССР №618 от 03.12.1966 г. была определена специализация НИИЭМП. Она предусматривала, в частности, разработку и внедрение на заводах 4 ГУ МЭП СССР комплексных линий средств автоматизации и механизации производства резисторов, а также измерений их электрических параметров, обеспечивающих высокую эффективность производства и качество выпускаемых изделий.

В период с 1967 по 1975 гг. служба спецмашиностроения НИИЭМП создала и поставила заводам 4 ГУ высокопроизводительное металлообрабатывающее оборудование: полуавтоматы непрерывного фрезерования, 8- и 12-позиционные агрегатные станки. Использование этого оборудования позволило увеличить производительность в 8-11 раз.

По разработкам НИИЭМП был осуществлен перевод сборки резисторов ПЭ, ПЭВ, ПТМН, СП5-2/3, СП5-35, СП5-50 и др. на комплексно-механизированные поточные линии. Так, например, внедрение комплекта оборудования для производства изделий СП5-2/3 позволило увеличить производительность труда в 1,8 раза, значительно улучшить качество, снизить себестоимость изделий на 20%, условно высвободить 220 рабочих. Внедрение разработанных средств механизации в производстве резистора СП5-28 позволило поднять производительность труда на 120% и условно высвободить 205 человек в пересчете на 1 комплект оборудования.

В начале 80-х годов потенциал и мощности машиностроительного комплекса были задействованы на решении задач создания и внедрения на заводы подотрасли сборочных полуавтоматических и автоматических линий с микропроцессорным управлением. Первые головные линии для сборки массовых переменных резисторов типа СПЗ-4М были внедрены на заводах ПО «Омега» г. Унеча, ЗРД г. Пружаны, ПМЗР, г. Москва.

В середине 60-х гг. в НИИЭМП было создано подразделение по разработке специализированного КИО, коллективом которого разработана большая номенклатура контрольно-измерительного оборудования:

• полуавтомат разбраковки плат с управлением от микропроцессора;

• установка для измерения сопротивления прецизионных резисторов с погрешностью ±0,0005%;

• полуавтоматическая установка контроля параметров 14-разрядных ГИС АЦП с управлением от ЭВМ;

• линия контроля резисторов СП5-3;

• полуавтоматическая установка для измерения ТКС резисторов.

Метрологическая служба НИИЭМП

Метрологическая служба была создана в 1959 г. как бюро измерительных приборов, в функции которого входили ремонт и поверка измерительных приборов. В 1960 г. бюро было реорганизовано в отдел измерительных приборов, задачей которого были, помимо упомянутых работ, разработка и изготовление нестандартной измерительной аппаратуры.

Начиная с 1964 г. основная деятельность НИИЭМП смещается в сторону резисторостроения. Возникла необходимость измерения сопротивления резисторов с погрешностью ±0,001 %, коэффициента деления с погрешностью ±0,0005%, ТКС резисторов величиной (10-5 – 10-6)1/ °С.

Для достижения этой цели метрологической службой был разработан ряд измерительных приборов: ДНШ-1, мера электрического сопротивления МЭС-1, установка для измерения линейности УКЛ-1, прибор ПСК-1 и другие.

Деятельность НИИЭМП в интересах подотрасли резисторостроения

Рост потребности в резисторах в СССР вызвал необходимость строительства специализированных заводов по их выпуску. Были построены заводы в Северной Осетии, в гг. Алагире и Орджоникидзе; в Марийской республике, в г. Козьмодемьянске; , в Ставропольском крае, в с. Шпаковское; в Карачаево-Черкессии, ауле Хабез и п.Учкекен; на Украине, в гг. Одессе, Белгороде-Днестровском и Северодонецке; в Армении, в гг. Абовяне, Ереване, Эчмиадзине, Ленинакане и Артике; в Узбекистане, в гг. Ташкенте и Самарканде; в Центральной России, в гг. Арзамасе, Белинском, Н. Ломове.

Первые разработанные НИИЭМП проволочные резисторы типов СП5-1/4, СП5-14 были освоены на Алагирском заводе сопротивлений. С 1964 г. по 1987 г. на заводе были освоены 4 типа постоянных проволочных резисторов, 5 типов переменных проволочных резисторов и электронный блок управления типа БУЭ-1 для ручного электроинструмента. Директора: А.Г. Бесолов, Ч.Г. Урумов, главные инженеры: Ю.Х. Слонов, Х.М. Пагиев. Большой вклад в освоение БУЭ-1 внес зам. главного инженера В.Г. Супрун.

В 1967 г. на ПО «Контакт» (г. Йошкар-Ола) были внедрены переменные проволочные резисторы типа СП5-2/3. Всего на заводе было внедрено 15 типов переменных резисторов. Директора: М.Д. Самусев, Е.А. Федотов, главные инженеры: Н.Н. Вознесенский, В.П. Козлов, начальник ОКБ Ю.Н. Лазарев.

history5

В 1969 г. на заводе «Микрокомпонент» (п. Учкекен) был освоен постоянный проволочный резистор типа С5-5, один из массовых постоянных проволочных резисторов. За последующие 11 лет было освоено 7 типов резисторов. Директора: Б.М. Нугзаров, Ш.Х. Эркенов, главный инженер АН. Шкуропатенко.

В 1969 г. на ПО «Позистор» (г. Абовян) в Армении был освоен резистор типа С5-5, а позднее переменный резистор типа С5-16 и резисторные микросхемы типов 308НР4-6 и КМ308НР1-3. Генеральные директора: В.О. Абовян, Э.А. Петросян, главный инженер Ю.С. Манвелян, начальник ОКБ Р.С. Геворкян.

Наши резисторы СП5-2/3, СП5-16, С5-35 были освоены на заводе «Резистор» (г. Эчмиадзин). Директор Ю.С. Антонян, главный инженер Г.А. Африкян, и на заводе «Омега» (г. Ленинакан): директор Ш.А. Минасян, главный инженер А.В. Налбандян.

Период с 1990 по 2000 гг. для коллектива НИИЭМП был тяжелым

После распада Советского Союза и перехода экономики на рыночные отношения произошел обвальный спад всей промышленности, в том числе электронной, были практически прекращены финансирование бюджетных НИОКР и оплата выполненных работ, значительно сократились заказы на элементную базу в связи с остановкой заводов по выпуску радиотехнической продукции, резко поднялись проценты на кредит и цены на сырье. Платежеспособная потребность в продукции номенклатуры института уменьшилась в десятки и сотни раз.

Сокращение заказов и невозможность быстрой конверсии вызвали резкое (в 3-8 раз) сокращение числа работающих на предприятиях подотрасли. Не обновлялись основные фонды. По сравнению с 1990 г. объем выпуска резисторов сократился к 2000 г. более чем в 40 раз, число серийных заводов сократилось в 2,5 раза, значительно уменьшилась номенклатура выпускаемых резисторов, крупные промышленные объединения и предприятия делились на более мелкие.

Создание Федерального фонда развития электронной техники сыграло значительную роль в поддержке электронной промышленности. Руководители фонда и его специалисты - А.С. Андреев, В.В. Симонов, А.Б. Ушаков, А.В. Петров, И.В. Наливкин, позднее А.В. Завьялов, А.С. Мартыненко и другие сделали всё, на наш взгляд, чтобы удержать электронную промышленность страны от полного развала.

Современный период с 2000 г. по н.в.

С новым веком начался новый этап в развитии института. Начиная с 2000 г., происходил тяжелейший процесс создания собственной технологической, инженерной и кадровой инфраструктур института. Этот процесс в настоящее время закончился созданием цельного предприятия, обладающего собственной независимой инфраструктурой. Но какой ценой это достигнуто, знаем только мы. За это время в институте организовано собственное производство и объемы реализации товарной и научной продукции с 2000 г. увеличены более чем в 10 раз. В интересах министерства обороны и гражданских министерств и ведомств началось систематическое выполнение опытно-конструкторских работ по всем направлениям, закрепленным за институтом.

about-fasad

Перспектива развития подотрасли резисторостроения нашла отражение в ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на период 2008-2015гг.» и ГПВ на 2011-2020 гг. В соответствии с этими программами предлагается создать новые сверхпрецизионные проволочные, фольговые и тонкопленочные резисторы с улучшенной в 4-10 раз временной стабильностью, точностью, температурным коэффициентом сопротивления, керметные толстопленочные резисторы, отличающиеся высокими удельными характеристиками и др.

Реализация планируемых на ближайшую перспективу рекордных параметров базируется на результатах фундаментальных, поисковых и прикладных НИР, проведенных НИИЭМП.